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			<title>&#24320;&#20113;&#12300;&#20013;&#22269;&#12301;&#23448;&#26041;&#32593;&#31449;&#45;&#75;&#65;&#73;&#89;&#85;&#78;&#47;&#32593;&#39029;&#29256;&#47;&#30331;&#24405;&#20837;&#21475;</title>
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			<description>&#24320;&#20113;&#40;&#75;&#97;&#105;&#89;&#117;&#110;&#32929;&#31080;&#20195;&#30721;&#65306;&#56;&#53;&#53;&#51;&#51;&#55;&#47;&#32593;&#39029;&#29256;&#47;&#30331;&#24405;&#20837;&#21475;&#41;&#26159;&#22269;&#20869;&#39046;&#20808;&#30340;&#23384;&#20648;&#19982;&#20808;&#36827;&#23553;&#27979;&#35299;&#20915;&#26041;&#26696;&#25552;&#20379;&#21830;&#12290;&#24320;&#20113;&#23448;&#26041;&#19987;&#27880;&#20110;&#21322;&#23548;&#20307;&#23384;&#20648;&#22120;&#20135;&#19994;&#38142;&#30340;&#30740;&#21457;&#19982;&#21019;&#26032;&#65292;&#33268;&#21147;&#20110;&#20026;&#23458;&#25143;&#25552;&#20379;&#39640;&#24615;&#33021;&#12289;&#39640;&#21487;&#38752;&#24615;&#30340;&#23384;&#20648;&#20135;&#21697;&#12290;&#75;&#97;&#105;&#121;&#117;&#110;&#23448;&#26041;&#20837;&#21475;&#30340;&#23384;&#20648;&#33455;&#29255;&#24191;&#27867;&#24212;&#29992;&#20110;&#31227;&#21160;&#26234;&#33021;&#32456;&#31471;&#12289;&#25968;&#25454;&#20013;&#24515;&#12289;&#26234;&#33021;&#27773;&#36710;&#31561;&#39046;&#22495;&#65292;&#24182;&#33719;&#24471;&#22810;&#39033;&#22269;&#20869;&#22806;&#33635;&#35465;&#19982;&#35748;&#35777;&#12290;</description>
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				<title>探秘DRAM存储器芯片</title>
				<link>https://lztdth.com/article/show/1/1810.html</link>
				<description>&lt;h3&gt;DRAM：计算机的“记忆担当”&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;打开电脑刷视频、用手机拍4K照片、在云端训练AI大模型……这些日常操作背后，都离不开一个关键角色——DRAM存储器芯片。它就像计算机的“短期记忆库”，负责临时存储CPU正在处理的数据，读写速度比硬盘快成百上千倍。举个例子：当你用手机拍一张4800万像素的照片，数据会先以每秒数GB的速度涌入DRAM，等CPU处理完再存进闪存。这种“快进快出”的特性，让DRAM成为智能手机、服务器、游戏机的核心部件。2025年全球DRAM市场规模预计突破1400亿美元，其中AI服务器用DRAM占比从2025年(nián)的(de)8%飙(biāo)✳️
&lt;a style=&quot;font-weight:bold;color:#f31616&quot; href=&quot;http://lztdth.com&quot;&gt;&amp;#75;&amp;#97;&amp;#105;&amp;#121;&amp;#117;&amp;#110;&amp;#20013;&amp;#22269;&lt;/a&gt;升(shēng)到(dào)2025年(nián)的(de)33%，这(zhè)背(bèi)后(hòu)藏(cáng)着(zhe)哪(nǎ)些(xiē)技(jì)术(shù)革(gé)命(mìng)？&lt;/p&gt;&lt;p style=&quot;text-align: center;&quot;&gt;&lt;img src=&quot;/resource/images/20251210-0716455774.jpg&quot; alt=&quot;探(tàn)秘(mì)DRAM存(cún)储(chǔ)器(qì)芯(xīn)片(piàn)&quot;&gt;&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;AI狂(kuáng)潮(cháo)下(xià)的(de)“芯(xīn)片(piàn)荒(huāng)”：70%产(chǎn)能(néng)被(bèi)AI吞(tūn)噬(shì)&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;2025年(nián)的(de)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)市(shì)场(chǎng)，正(zhèng)在(zài)上(shàng)演(yǎn)一(yī)场(chǎng)“史(shǐ)诗(shī)级涨价潮”。三星、SK海力士等巨头连续调价，部分DRAM产品涨幅超60%，手机厂商库存普遍低于4周（健康水平是8-10周）。这波涨价的核心推手，是AI对高性能存储的疯狂需求。以英伟达H100服务器为例，单台需要640GB HBM（高带宽内存）+2-4TB DDR5，存储容量是传统服务器的4-8倍。TrendForce预测，2025年AI相关应用将占据DRAM市场53%的份额，其中HBM销售额占比更将冲到41%。更夸张的是，英伟达为抢HBM5产能，愿意为LPDDR5支付🔰
比手机厂商高50%-60%的溢价，直接挤占了消费电子的供应。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;这场“AI吃内存”的狂潮，正在重塑产业链格局。三星2025年Q4预计营收超122亿美元，靠的就是HBM和DDR5的涨价红利；而手机厂商则陷入两难：要么接受涨价，要么降低内存配置。比如某旗舰机原本计划标配16GB+512GB，因成本压力被迫推出12GB+256GB版本。业内人士警告：“2025年低端手机可能面临严重缺货，消费者要么买涨价的新机，要么选二手性能更强的设备。”&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;从DDR4到DDR6：技术迭代如何突破物理极限&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;DRAM的进化史，就是一部不断突破物理极限的奋斗史。早期DRAM用6个晶体管存1位数据，现在只需1个晶体管+1个电容，单位面积存储密度提升数十倍。但缩小电容体积会带来致命问题——漏电。想象一下：你往杯子里倒水，如果杯子太浅，水会很快蒸发。DRAM电容同理，当制程推进到10纳米级，漏电问题让数据只能维持几毫秒，必须通过“刷新电路”每64毫秒给电容“续命”。这就像给手机频繁充电，但DRAM的刷新功耗只有主动充电的万分之一，堪称“节能🆗
&lt;a style=&quot;font-weight:bold;color:#f31616&quot; href=&quot;http://lztdth.com&quot;&gt;&amp;#75;&amp;#97;&amp;#105;&amp;#121;&amp;#117;&amp;#110;&amp;#20013;&amp;#22269;&lt;/a&gt;黑科技”。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;当前主流的DDR5内存，数据速率从4.8Gbps起步，高端型号可达6.4Gbps，单条带宽比DDR4提升2.6倍。而即将量产的DDR6，速度将翻倍至12.8Gbps，同时功耗降低30%。更革命性的突破来自HBM：通过3D堆叠技术，把12层DRAM芯片“粘”在一起，单颗容量达48GB，带宽是DDR5的20倍。三星计划用4nm逻辑工艺+10nm DRAM制程生产HBM4，良率目标突破80%。这些技术突破，让AI大模型训练速度从“蜗牛爬”变成“高铁飞”——用HBM的服务器，训练GPT-4的时间能从90天缩短到30天。&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;中国“芯”的突围战：从模组加工到技术自主&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;面对全球DRAM市场的激烈竞争，中国厂商正在寻找破局之道。2025年，国产DDR5内存市场份额从年初的1%飙升到年底的7%，LPDDR5从0.5%提升至9%。这背(bèi)后(hòu)是(shì)“两(liǎng)条(tiáo)腿(tuǐ)走(zǒu)路”的(de)战(zhàn)略(è)：一(yī)方(fāng)面(miàn)，头(tóu)部(bù)企(qǐ)业(yè)与(yǔ)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等原厂深度合作，构建多元化供应保障；另一方面，自研主控芯片、布局先进(jìn)封(fēng)测(cè)，向(xiàng)产(chǎn)业(yè)链(liàn)高(gāo)端(duān)延(yán)伸(shēn)。比(bǐ)如(rú)某(mǒu)模(mó)组(zǔ)厂(chǎng)商(shāng)通(tōng)过(guò)定(dìng)增(zēng)募(mù)资(zī)20亿(yì)元(yuán)，投(tóu)向(xiàng)CXL（高(gāo)速(sù)互(hù)连(lián)）存(cún)储(chǔ)项(xiàng)目(mù)，试(shì)图(tú)打(dǎ)破(pò)国(guó)外(wài)对(duì)高(gāo)端(duān)企(qǐ)业(yè)级(jí)市(shì)场(chǎng)的(de)垄(lǒng)断(duàn)。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;政(zhèng)策(cè)层(céng)面(miàn)也(yě)在(zài)加(jiā)码(mǎ)支(zhī)持(chí)。工(gōng)信(xìn)部(bù)明(míng)确(què)提(tí)出(chū)，到(dào)2025年(nián)国(guó)内(nèi)存(cún)储(chǔ)芯片自给率要从8%提升至25%，并设立1000亿元产业基金。2025年，中国首条全国产化DRAM产线已进入试产阶段，设备国产化率达45%。但挑战依然严峻：HBM核心的1b/1c制程技术，国内与国际巨头仍有2-3代差距；EUV光刻机等关键设备仍受制于人。正如某行业专家所言：“存储芯片的竞争，本质是生态的竞争。中国需要从‘周期追赶者”变🌲
成“技术并行者”，最终实现‘生态定义者”的跨(kuà)越(yuè)。”&lt;/p&gt;&lt;p&gt;站(zhàn)在(zài)2025年(nián)的(de)节(jié)点(diǎn)回(huí)望(wàng)，DRAM芯(xīn)片(piàn)早(zǎo)已(yǐ)不(bù)是(shì)简(jiǎn)单(dān)的(de)“电(diàn)子(zi)元(yuán)件(jiàn)”，而(ér)是(shì)数(shù)字(zì)时(shí)代(dài)的(de)基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)。从(cóng)AI服(fú)务器的“超级大脑”到智能手机的“记忆心脏”，它的每一次技术突破，都在推动人类向智能世界迈进。对于普通消费者来说，或许不必纠结于“DDR5和DDR6谁更快”，但了解这些芯片背后的故事，能让我们更清晰地看到：科技革命从未停止，而中国“芯”的突围战，才刚刚打响。&lt;/p&gt;
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				<pubDate>Wed, 10 Dec 2025 00:02:04 +0800</pubDate>
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				<title>【今日要闻】三星动态：从电视维修到芯片革新与存储新局</title>
				<link>https://lztdth.com/article/show/1/1809.html</link>
				<description>&lt;h3&gt;三(sān)星(xīng) B55A858U液(yè)晶(jīng)电(diàn)视(shì)不(bù)开(kāi)机(jī)故(gù)障(zhàng)维(wéi)修(xiū)&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;三(sān)星(xīng) B55A858U液(yè)晶(jīng)电(diàn)视(shì)不(bù)开(kāi)机(jī)故(gù)障(zhàng)维(wéi)修(xiū)400-8619-088 近(jìn)期(qī)上(shàng)门(mén)修(xiū)一(yī)台(tái)三(sān)星(xīng) B55A858U液(yè)晶(jīng)电(diàn)视(shì)，据(jù)用(yòng)户(hù)描(miáo)述刚🥝
买一年多的电视没怎么看，刚开始是收看过程中自动关机，断电再开后又可以收看，现在是通电没反应（指示灯也不亮）。拆机通电测量电源板已经给主 板供电12V和3.3V，测量主板其它稳压供电也正常，只好拆板拿回店里修理。 回来后接编程器看打印信息不停显示EMMC:800:SD800，查资料得知是EMMC存储器坏，并且是此板通病！拆下EMMC芯片放RT8009H。&lt;/p&gt;&lt;p style=&quot;text-align: center;&quot;&gt;&lt;img src=&quot;/resource/images/20251210-0346239630.jpg&quot; alt=&quot;三星动态：从电视维修到芯片革新与存储新局&quot;&gt;&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;三星重组存储器部门，瞄准第六代HBM4和第七代HBM4E&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;根据韩国媒体报道，三星已针对其存储器业务进行了一次大规模的组织改革，旨在提升其在次世代存储器芯片竞赛中的竞争优势。根据重组计划，这家科技大厂成立了一个全新的存储器开发部门。 报道指出，这个新部门整合了三星关键的研发功能，尤其包括了高带宽内存（HBM）的开发团队。该部门将由现任DRAM产品与技术团队的负责人Hwang Sang-joon领导。Hwang San💥
&lt;a style=&quot;font-weight:bold;color:#f31616&quot; href=&quot;http://lztdth.com&quot;&gt;&amp;#75;&amp;#97;&amp;#105;&amp;#121;&amp;#117;&amp;#110;&amp;#23448;&amp;#26041;&lt;/a&gt;g-joon先前主导了三星高价值DRAM和HBM产品的开发工作，因此被认可接任此职位。 由于对产品良率和稳定性的担忧，三。&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;国泰海通策略11月金股&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;其中，KVBM提供G1-G4（GPU memory、CPU host memory、SSD、远端存储)的KV Cache卸载，避免大量 KV Cache 重计算。2025开放数据中心大会之新技术与测试🍷
（存储）分论坛中，三星电子高级项目经理针对大语言模型（LLM）发展中面临的“内存墙”难题，提出基于SSD的存储卸载技术方案，为AI模型高效运行提供新路径。三星将KV Cache卸载至NVMe SSD。当KV Cache大小超过HBM或DRAM容量时，该方案可使首token延迟（T。&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;新机：vivoX100Ultra发布会定了；iPhone17Plus屏幕缩小；三星S25依然8GB起步；红旗汽车要造手机&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;三星的内存是金子🈯
&lt;a style=&quot;font-weight:bold;color:#f31616&quot; href=&quot;http://lztdth.com&quot;&gt;&amp;#75;&amp;#97;&amp;#105;&amp;#121;&amp;#117;&amp;#110;&amp;#23448;&amp;#26041;&lt;/a&gt;做的？↘↘↘。&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;Jim Keller再掀芯片风暴！Tenstorrent全栈布局，能否颠覆RISC-V格局？&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;在Samsung SF4X工艺节点下，可实现&gt;2.5GHz的主频，性能与Arm Neoverse N2产品相当，成为当前公开数据中性能最为强劲的RISC-V CPU IP。 架构层面，Ascalon严格遵循RVA23U64标准，集成了高性能RVV1.0矢量引擎。矢量单元支持256位宽操作，单周期内可完成8次64位浮点运算，极大地提升了AI推理、信号处理等并行计算场景的效率。 从功能层面来看，Ascalon内置硬件虚拟化模块(支持RVVM规范)、四级别内存管理单元(MMU)以及。&lt;/p&gt;
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				<pubDate>Wed, 09 Dec 2025 20:01:32 +0800</pubDate>
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				<title>今日科普|10字：多片芯片构存储新篇
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				<link>https://lztdth.com/article/show/1/1808.html</link>
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				<pubDate>Mon, 08 Dec 2025 08:01:35 +0800</pubDate>
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				<title>今日科普|10字：广元存储器芯片厂家
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				<link>https://lztdth.com/article/show/1/1807.html</link>
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				<pubDate>Mon, 08 Dec 2025 04:02:03 +0800</pubDate>
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				<title>【科普解答】优盘存储器芯片：技术解析与未来展望</title>
				<link>https://lztdth.com/article/show/1/1806.html</link>
				<description>&lt;p&gt;在数字化信息飞速发展的今天，优盘（U盘）作为便捷的移动存储设备，已经成为我们日常生活中不可或缺的数据存储与传输工具。它凭借📀
&lt;a style=&quot;font-weight:bold;color:#f31616&quot; href=&quot;http://lztdth.com&quot;&gt;&amp;#75;&amp;#97;&amp;#105;&amp;#121;&amp;#117;&amp;#110;&amp;#20013;&amp;#22269;&lt;/a&gt;小巧便携、即插即用、存储容量大等诸多优势，广泛应用于工作、学习和娱乐等各个场景。而优盘之所以能够实现这些强大功能，关键在于其内部所采用的存储器芯片。不同类型的存储器芯片在功能及物理特性上存在差异，这也决定了它们在优盘中的应用情况。接下来，就让我们一同深入探究优盘存(cún)储(chǔ)器(qì)芯(xīn)片(piàn)的(de)相(xiāng)关知(zhī)识(shi)。&lt;/p&gt;&lt;p style=&quot;text-align: center;&quot;&gt;&lt;img src=&quot;/resource/images/20251208-0445501465.jpg&quot; alt=&quot;优(yōu)盘(pán)存(cún)储(chǔ)器(qì)芯(xīn)片(piàn)：技(jì)术(shù)解(jiě)析(xī)与(yǔ)未(wèi)来(lái)展(zhǎn)望(wàng)&quot;&gt;&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;根(gēn)据(jù)存(cún)储(chǔ)器(qì)芯(xīn)片(piàn)的(de)功(gōng)能(néng)及(jí)物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng),目(mù)前(qián)用(yòng)作(zuò)优(yōu)盘(pán)存(cún)储(chǔ)器(qì)芯(xīn)片(piàn)的(de)是(shì)_____..容办航神扩兴衣财频毛旧.&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;1. 【精准解析答案】B 【题目深度剖析】在当前技术背景下，优盘所广泛采用的存储器芯片类型是以下🈴
&lt;a style=&quot;font-weight:bold;color:#f31616&quot; href=&quot;http://lztdth.com&quot;&gt;&amp;#75;&amp;#97;&amp;#105;&amp;#121;&amp;#117;&amp;#110;&amp;#20013;&amp;#22269;&lt;/a&gt;哪一种？选项包括：EPROM、Flash ROM、SDRAM以及SRAM。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;2. 【精准解析答案】D [选项详解] A. SRAM# [B]. SDRAM# [C]. EPROM# [D]. &lt;strong&gt;Flash ROM（正确答案，因其非易失性及高密度存储特性，成为优盘主流选择）&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt;&lt;p&gt;3. 【精准解析答案】A [选项详解] A. &lt;strong&gt;DRAM（虽非优盘主流，但在特定场景下，如动态数据存储，有其独特应用价值）&lt;/strong&gt;# [B]. EPROM# [C]. Flash ROM# [D]. SRAM&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;u盘是什么存储器&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;1. 外部存储器 U盘如头在尔部井另型是外部存储器,属于FLASH类型的存储器。 U云查盘是USB闪存盘的简称,英文名是“USB flash disk”,是一种移动存储设备,可用于备份数据。它的体积一般较小,非常方便携带。因为U盘是闪存的一种,所以也被叫做闪盘。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;🅿
2. U盘是USB(Universal Serial Bus)盘的简称,也称为“优盘”。 U盘是闪存的一种,故有时也称作闪盘。U盘与硬盘的最大不同是,它不需物理驱动器,即插即用,且其存储容量远超过软盘,极便于携带。U盘集磁盘存储技术、闪存技术及通用串行总线技术于一体。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;3. U盘,全称USB闪存盘,英文名“USB flash disk”,是移动存储设备。 U盘是一种使用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品,通过USB接口与电脑连接,实现即插即用。U盘的称呼最早来源于朗科科技生产的一种新型存储设备,名曰“优盘”,使用USB接口进行连接。&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;目前优盘采用的存储器芯片是( )&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;1. U盘，作为一种典型的外部存储器，其核心类型为FLASH存储。它也被广泛称作USB盘，简称为U盘，同时“优盘”这一称谓则是其谐音的巧妙运用。作为移动存储设备的杰出代表，U盘不仅便于数据备份，更以其便携性深受用户青睐。其显著特点在于存储容量庞大且价格亲民，满足了用户对数据存储与携带的双重需求。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;2. U盘，亦称优盘，谐音之间尽显智慧，它不仅是一种外部存储器，更是FLASH技术下的移动存储典范。专为数据备份而生，便于随身携带，它作为闪存家族的一员，亦被冠以“闪盘”之名。其精巧设计，便于携带，加之存储容量之大、价格之优，使得U盘在数据存储领域独树一帜。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;3. 对于U盘的维修，我亦有所涉猎。在着手☎️
更换8G Flash芯片之前，请务必确认其焊接质量，排除搭焊、虚焊等潜在问题。随后，可借助ChipGenius工具，精准检测主控芯片型号，即您所提及的“U盘内另一块IC”的具体型号，为后续维修工作奠定坚实基础。&lt;/p&gt;&lt;h3&gt;u盘储存器用的什么芯片,具体都有哪些型号?&lt;/h3&gt;&lt;p&gt;1. U盘存储芯片是U盘的核心部件,负责存储、读取和传输数据。 U盘存储芯片的性能和特点直接影响着U盘的速度、容量、稳定性等方面的表现。U盘存储芯片常见的类型包括传统NAND Flash芯片、TLC NAND Flash芯片、SLC NAND Flash芯片。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;2. U盘主要由主控芯片、闪存(FLASH)等组成。主控芯片、闪存再加上其他的部件如由USB插头、晶振、稳压IC(LDO)、PCB板、帖妒般战片电阻、电容、发光二极管(LED)封装在一起构成了U盘。U盘的优点是读写速度快而且稳定,存储的文件不容易丢失,安全性能较高。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;3. 以下是关于U盘和存储卡芯片的相关信息:U盘芯片:U盘主控芯片是整个U盘的大脑,负责控制兰沿独握你么U盘的运作,相当于电脑的主板。闪存颗粒则是用来存储数据的介质,相当于电脑的内存条。主控芯片决定了U盘的稳定性和速度,而闪存颗粒则影响着U盘的容量和寿命。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;通过对上述内容的详细了解，我们对优盘所采用的存储器芯片有了较为全面的认识。目前，Flash ROM凭借其非易失性及高密度存储特性，成为优盘的主流存储器芯片选择，而其中常见的传统NAND Flash芯片、TLC NAND Flash芯片、SLC NAND Flash芯片等，又各自有着不同的性能特点。同时，优盘作为一个整体，还由主控芯片等其他部件协同工作，共同保障其稳定、快速的数据存储与传输功能。随着科技的不断进步，相信未来优盘存储器芯片还会有新的发展与突破，为我们带来更加优质的使用体验。&lt;/p&gt;
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				<pubDate>Mon, 08 Dec 2025 00:02:04 +0800</pubDate>
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