电子行业周报：先进存储和逻辑产能扩张持续 半导体设备有望国产化加速

中国企业在高端存储芯片领域正逐步缩小与国际领先企🍭Kaiyun网页版业的差距，据TechInsights 此前报道，应用长江存储新锐Xtacking 4.x 技术和2yy 层的1Tbit 3D TLC NAND 芯片的固态硬盘产品已投入市场，标志着中国长江存储在全球存储竞争中的地位不断上升；采用G4 节点的DDR5 DRAM 颗粒的内存产品亦展示了长鑫存储DRAM 生产上的显著进步。据韩媒Financial News 报道，长鑫存储计划在2025 年底前交付第四代高带宽存储器样品（HBM3），并。

德明利：向特定对象发行股票并在主板上市募集说明书(注册稿) （下载公告）

1-1-42 2025-2025年各存储原厂3D NAND技术发展路线图 资料来源：CFM （3）半导体存储器国产化进程加深，国内厂商迎来发展机遇 我国存储芯片市场规模巨大，但自给率较低，仍有较大的提升空间。在新的全球局势下，保障国家重要领域的产业链安全，具有极其重要的战略意义。我国电信、政府部门、金融等重要领域的服务器和PC产品数据安全性需🏮要得到保障因此存储芯片具有国产替代的急迫性。同时，我国庞大内需、新兴应用及政策推动亦助力国产存储芯片快速发展。目前，在国家集成电路产业政。

2025年2月5日午后存储芯片概念股的异动拉升，主要可从以下角度解读：一、领涨方向与核心个股1. SRAM（静态随机存储 - 雪球

国产存储芯片企业在技术研发和市场份额方面的最新动态是什么？ 根据提供的多条证据，国产存储芯片企业在技术研发和市场份额方面取得了显著进展，具体动态如下： 技术研发方面 1. 技术突破： - 长江存储实现了192层的3D-NAND闪存芯片技术突破，打破了国外厂商在该领域的长期垄断，使中国在存储⚽️芯片技术上与国际领先水平的差距进一步缩小。- 国内一些企业在DDR4、LPDDR4X等存储芯片的设计和生产工艺上取得了重要进展，逐步实现了国产存储芯片的自主可控。- 新存科技发布了国内首款最。

智能制造周观点：具身认知智能与运动控制协同进阶

■ 国产存储芯片厂商将优先采用本土设备以降低成本并规避供应链风险。例如，北方华创的刻蚀设备、中微公司的介质刻蚀机已在长鑫存储产线中验证通过，DDR4扩产有望加速国产设备渗透率提升。【近7日半导体设备及厂建相关招中标数据统计】 我们选取国内主要晶圆代工厂和封测厂，统计设备及厂建招标中标情况：近7日（0607-0613）国内主流晶圆代工厂和封测厂公开披露22项招标、中标和备案(àn)审(shěn)批(pī)公(gōng)告(gào)。■ 8项(xiàng)招(zhāo)标(biāo)公(gōng)告(gào)：1台(tái)化(huà)学(xué)机(jī)械(xiè)抛(pāo)光(guāng)设(shè)备(bèi)，1台(tái)湿(shī)法(fǎ)清(qīng)洗(xǐ)设(shè)备(bèi)，1台(tái)离(lí)子(zi)注(zhù)入(rù)设(shè)备(bèi)，1台(tái)外(wài)延(yán)设(shè)备(bèi)，2项(xiàng)厂(chǎng)。

七(qī)月(yuè)聚(jù)焦(jiāo)科(kē)技(jì)“自(zì)主可控”主题

9、据报道存储目前已完成HBM3样品开发，并于近期通过多家中国AI硬件初创公司的测试认证，与中国头部AI公司签署了试点合同。该合作🆙Kaiyun网页版标志着国产HBM技术首次进入AI核心供应链，计划2025年初正式向AI加速器、GPU及数据中心客户供货。10、26日，国产算力华为 4500 台昇腾 910C - 2 服务器机群首发官方出货11、近期光刻机产业端也持续验证到国产整机进度在提速：1）公司A公开交流提及目前在先进光刻机进展很顺利，公司在光刻机领域的零部件月交付超千万且5月份后光刻机零部。